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本測試實驗室提供專業的半導體特性評估，包括靜態特性、動態特性和熱特性。除提供建模測試數據和制作分立器件規格書外，我們還能完成一些特殊的測試項目，諸如TVS器件的S21、MOSFET器件的dv/dt和三極管的fT。鑒于各家客戶的需求難以統一，我們會在充分評估項目的難度和工時后給出正式報價。
本測試實驗室可提供的服務項目參見表一、表二和表三。
表一 二極管相關測試項目
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測試類別
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測試項目
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備 注
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參數
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符號
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電性能參數
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靜態參數
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正向電壓
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VF
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1. 可提供高低溫（-40℃ 到200℃）測試結果
2. 可提供測試曲線或波形
3. DC類：Imax=400A、Vmax=3000V
4. AC類：Imax=1000A、Vmax=1200V
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反向漏電
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IR
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反向擊穿電壓
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V（BR）
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正向平均電流
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IF（AV）
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動態參數
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結電容
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CJ
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反向恢復時間相關參數
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Trr/Ta/Tb/S
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反向恢復峰值電流
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Irm
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反向恢復電荷
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Qrr
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電壓變化率
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dv/dt
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熱性能參數
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耗散功率
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PD
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結到環境熱阻
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Rthj-a
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結到殼熱阻
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Rthj-c
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根據封裝不同，可能為j-l等
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其他特殊參數
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插入損耗
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S21
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箝位電壓
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Vc
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8/20μs和10/1000μs
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動態電阻
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RDYN
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TLP測試
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單脈沖雪崩能量
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EAS
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表二 三極管相關測試項目
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測試類別
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測試項目
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備 注
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參數
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符號
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電性能參數
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靜態參數
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各類擊穿電壓
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V(BR)CEO/V(BR)CBO/V(BR)EBO
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1. 可提供高低溫（-40℃ 到200℃）測試結果
2. 可提供測試曲線或波形
3. DC類：Imax=400A、Vmax=3000V
4. AC類：Imax=1000A、Vmax=1200V
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各類漏電
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ICEO/ICBO/IEBO
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靜態電流增益
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hFE
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基極-發射極導通電壓
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VBE(on)
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各種飽和壓降
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VBE（sat）/VCE(sat)
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動態參數
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各類電容
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Cobo/Cibo/Cre
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延遲時間
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Td
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上升時間
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Tr
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存儲時間
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Ts
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下降時間
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Tf
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熱性能參數
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耗散功率
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PD
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結到環境熱阻
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Rthj-a
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結到殼熱阻
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Rthj-c
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其他特殊參數
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增益帶寬積(特征頻率)
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fT
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插入功率增益
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︱S21e︱2
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噪聲系數
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NF
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高頻
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表三 MOSFET/IGBT相關測試項目
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測試類別
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測試項目
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備 注
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參數
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符號
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電性能參數
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靜態參數
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各類擊穿電壓
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V(BR)DSS/V(BR)GSS
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1. 可提供高低溫（-40到200℃）測試結果
2. 可提供測試曲線或波形
3. DC類：Imax=400A、Vmax=3000V
4. AC類：Imax=1000A、Vmax=1200V
5. 符號上IGBT和VDMOS之間的替換關系：
C（集電極）=D（漏極）；E（發射極）=S（源極）
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各類漏電
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IDSS/IGSS
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柵極閾值電壓
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VGS（th）
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導通電阻
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RDS(on)
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飽和壓降
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VCE(sat)
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二極管正向壓降
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VSD/VF
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動態參數
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正向跨導
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Gfs
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柵極電阻
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Rg
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輸入、輸出、反向轉移電容
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Ciss/Coss/Crss
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有效輸出電容
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Coer/Cotr
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開關時間
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Td(on)/Tr/Td(off)/Tf
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導通損耗
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Eon/Eoff
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反向恢復時間相關參數
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Trr/Ta/Tb/S/Irrm/Qrr
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柵極電荷
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Qg/Qgs/Qgd
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短路電流、漏極脈沖電流
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Isc/IDM
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熱性能參數
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耗散功率
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PD
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結到環境熱阻
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Rthj-a
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結到殼熱阻
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Rthj-c
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其他特殊參數
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單脈沖雪崩能量
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EAS
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說明：TO和SMD有夾具，其他封裝需要制作配套夾具（費用另計）。
聯系方式：
聯系人：周女士
TEL：0571-86714088-6192
Email：zhoujun@silanic.com.cn
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